| | Примітки | - Визначення груп хімічних елементів, що застосовуються в розділі C:
Лужні метали: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr
Лужноземельні метали: Ca, Sr, Ba, Ra
Лантаноїди: елементи з атомними номерами 57 - 71 включно
Рідкісноземельні метали: Sc, Y, лантаноїди
Актиноїди: елементи з атомними номерами 89 - 103 включно
Тугоплавкі метали: Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W
Галогени: F, Cl, Br, I, At
Інертні гази: He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn
Група платини: Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd
Благородні метали: Ag, Au, група платини
Легкі метали: лужні метали, лужноземельні метали, Be, Al, Mg
Важкі метали: інші метали, крім легких
Група заліза: Fe, Co, Ni
Неметали: H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, інертні гази, галогени
Метали: інші елементи, крім неметалів
Перехідні елементи: елементи з атомними номерами 21 - 30 включно, 39 - 48 включно, 57 - 80 включно, 89 і вище - Розділ C охоплює:
- теоретичну хімію, яка охоплює неорганічні сполуки, органічні сполуки, високомолекулярні сполуки та способи їх одержування;
- прикладну хімію, яка охоплює композиції, що містять вищевказані сполуки, такі як скло, кераміка, добрива, пластмаси, фарби, продукти нафтової промисловості. Він також охоплює деякі суміші спеціального призначення, які мають особливі властивості, наприклад вибухові речовини, барвники, адгезиви, мастильні та мийні композиції;
- деякі галузі переробної промисловості, такі як виробництво коксу та твердого або газоподібного палива, виробляння та очищання масел, жирів та восків, бродильна промисловість (наприклад пивоваріння та виноробство), виробляння цукру;
- деякі види обробляння: або повністю механічні, як наприклад механічне обробляння шкіри, або частково механічні, як наприклад обробляння води або запобігання корозії взагалі;
- металургію, сплави чорних або кольорових металів.
- Хімічна частина або аспект будь-якого процесу, способу обробляння, продукту або виробу, що мають також нехімічну частину або аспект, віднесена, як правило, до розділу C.
- У деяких випадках хімічна частина або аспект тісно пов'язані з нехімічною, наприклад суто механічною частиною, тому логічно їх не відокремлювати одну від одної, як наприклад у випадку прикладної хімії або у випадку галузей промисловості та процесів обробляння згадуваних у Прим. (1)(c), (d) та (e). Наприклад, печі для виготовляння скла відносять до класу C03 а не до класу F27.
- Однак є деякі винятки, коли хімічна частина або аспект віднесені до класу або підкласу, що охоплює механічну (чи нехімічну) частину, наприклад:
- деякі екстракційні способи віднесені до підкласу A61K;
- хімічне очищання повітря - до підкласу A61L;
- хімічні способи боротьби з вогнем - до підкласу A62D;
- хімічні способи та апарати - до класу B01;
- просочування деревини - до підкласу B27K;
- хімічні способи аналізу та досліджування - до підкласу G01N;
- фотографічні матеріали та процеси - до класу G03, та хімічне обробляння тканин і виробництво целюлози або паперу взагалі - до розділу D.
- У ряді інших випадків, аспект, що стосується теоретичної хімії, віднесений до розділу C а прикладної хімії - до іншого розділу, зокрема A, B або F, наприклад застосовування речовини або композиції для:
- обробляння рослин або тварин віднесене до підкласу A01N;
- харчових продуктів, віднесене до класу A23;
- боєприпасів або вибухових речовин, віднесене до класу F42.
- У тих випадках, коли хімічна та механічна частини нерозривно пов'язані так, що їх чіткий та точний поділ неможливий, або коли деякі механічні процеси є продовженням хімічного обробляння, до розділу C може бути частково віднесена і механічна частина, наприклад, наступне обробляння штучного каменю віднесене до класу C04. У цих випадках дається зазвичай пояснювальна примітка або посилання.
|
|
|
Примітки
|
| - У цьому підкласі нижченаведені терміни вживаються у такому значенні
- "монокристал" - продукт, який складається переважно з монокристалів, але який містить також і спарені кристали [3]
- "гомогенний полікристалічний матеріал" - матеріал, який складається з кристалічних частинок однакового хімічного складу [5]
- "певна структура" - структура матеріалу, який складається із зерен, що орієнтовані певним чином, або зерен, що мають розміри, більші ніж одержувані при звичайних умовах. [5]
- У цьому підкласі
- одержування монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу певної структури зі спеціальних речовин або особливої форми класифікують як у групі для використовуваного способу, так і у групі C30B 29/00; [3]
- устатковання, яке спеціально пристосоване для здійснювання певного способу, класифікують у відповідній групі для способу. Устатковання, яке використовується у декількох видах способів, класифікують у групі C30B 35/00. [3]
|
|
Покажчик підкласу
|
|
|
|
| C30B 1/00 | Вирощування монокристалів з твердого стану [3] |
| C30B 3/00 | Односпрямоване розділяння евтектоїдних матеріалів [3] |
| C30B 5/00 | Вирощування монокристалів із гелів [3] |
|
| C30B 7/00 | Вирощування монокристалів із розчинів з використовуванням розчинників, які є рідинами при нормальній температурі, наприклад з водних розчинів [3] |
| C30B 9/00 | Вирощування монокристалів із розплавів з використовуванням розплавлених розчинників [3] |
| C30B 11/00 | Вирощування монокристалів звичайним заморожуванням або заморожуванням при температурному градієнті, наприклад за методом Бріджмена-Стокбаргера [3] |
| C30B 13/00 | Вирощування монокристалів зонним плавленням; очищання зонним плавленням [3,5] |
| C30B 15/00 | Вирощування монокристалів витягуванням з розплаву, наприклад, за методом Чохральського [3] |
| C30B 15/02 | | · | додаванням до розплаву матеріалу, який кристалізується, або реагентів, які утворюють його безпосередньо в процесі [3] |
|
| C30B 15/06 | | · | невертикальне витягування [3] |
|
| C30B 15/08 | |
| C30B 15/10 | | · | тигелі або контейнери для підтримування розплаву [3] |
|
| C30B 15/14 | | · | нагрівання розплаву або матеріалу, який кристалізують [3] |
|
| C30B 15/20 | | · | контролювання або регулювання (контролювання або регулювання взагалі G05) [3] |
|
| C30B 15/30 | | · | механізми для обертання або пересування розплаву або кристала (флотаційні способи C30B 15/20) [3] |
|
| C30B 15/32 | | · | тримачі затравочних кристалів, наприклад затискні патрони [3] |
|
| C30B 15/34 | | · | вирощування із плівки кристалів з певними гранями з використовуванням формозмінювальних матриць або щілин [3] |
|
| C30B 15/36 | | · | які відрізняються затравочним кристалом, наприклад його кристалографічною орієнтацією [3] |
|
|
| C30B 17/00 | Вирощування монокристалів на затравочному кристалі, який залишається у розплаві у процесі вирощування, наприклад за методом Накена-Кіропулоса [3] |
| C30B 19/00 | Рідкофазне вирощування епітаксіальних шарів [3] |
| C30B 21/00 | Односпрямоване кристалізування евтектик [3] |
|
| C30B 23/00 | Вирощування монокристалів конденсацією матеріалу, який випаровується або сублімується [3] |
|
| C30B 25/00 | Вирощування монокристалів шляхом хімічних реакцій реакційноздатних газів, наприклад хімічним осаджуванням з парової фази [3] |
| C30B 25/02 | | · | вирощування епітаксіальних шарів [3] |
|
| C30B 25/04 | | · · | рельєфне осаджування, наприклад з використовуванням захисних шарів [3] |
|
| C30B 25/06 | | · · | розбризкуванням продуктів реакції [3] |
|
| C30B 25/08 | | · · | реакційні камери; вибір матеріалів для них [3] |
|
| C30B 25/10 | | · · | нагрівання реакційної камери або підкладки [3] |
|
| C30B 25/12 | | · · | тримачі або приймачі підкладок [3] |
|
| C30B 25/14 | | · · | засоби для подавання або випускання газів; змінювання потоку реакційноздатних газів [3] |
|
| C30B 25/16 | | · · | керування або регулювання (керування або регулювання взагалі G05) [3] |
|
| C30B 25/18 | | · · | що характеризуються підкладкою [3] |
|
|
|
|
| C30B 27/00 | Вирощування монокристалів під захисною рідиною [3] |
| C30B 28/00 | Одержування гомогенного полікристалічного матеріалу певної структури [5] |
| C30B 29/00 | Монокристали або гомогенний полікристалічний матеріал певної структури, що характеризуються матеріалом або формою [3,5] |
|
| C30B 30/00 | Одержування монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу певної структури, що характеризуються впливом електричного або магнітного полів, хвильової енергії або інших специфічних фізичних умов [5] |
| | Примітки | При класифікуванні у цій групі класифікування також проводять у групах C30B 1/00-C30B 28/00 відповідно до способу вирощування кристала. [5] |
|
|
| C30B 31/00 | Способи дифузії або легування монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу певної структури; устатковання для цих цілей [3,5] |
| C30B 33/00 | Наступне обробляння монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу певної структури [3,5] |
|
|
| C30B 35/00 | Устатковання взагалі, спеціально пристосоване для вирощування, одержування або наступного обробляння монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу певної визначеної структури [3,5] |
|
